一种陶瓷衬底的高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202010390662.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111647874B | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN111647874B | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | C23C16/27;C23C16/56;C23C16/02;C02F1/467;C02F1/461;C02F101/30 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 魏秋平;马莉;周科朝;王立峰;王宝峰;施海平 | 申请（专利权）人 | 南京岱蒙特科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 钟丹;魏娟 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市六合区龙池街道雄州南路399号2幢109号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种陶瓷衬底的高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用，所述硼掺杂金刚石电极包括陶瓷衬底以及设置于陶瓷衬底表面的硼掺杂金刚石层，所述硼掺杂金刚石层，由下至上，依次包括硼含量依次减少的硼掺杂金刚石底层、硼掺杂金刚石过渡层、硼掺杂金刚石外层。相对于金属材料，陶瓷材料具有更低的热膨胀系数和热稳定性，因此在其表面设置硼掺杂金刚石层，可以具有极佳的结合性能，然而陶瓷材料大多数导电性不足，本发明中在陶瓷衬底表面设置硼含量梯度减少的硼掺杂金刚石层，在与衬底接触的最底层硼含量最高，导电性最强，从而可以赋予陶瓷材料较高的导电性，拓宽陶瓷材料在BDD衬底材料领域的应用范围。 |
