一种负型纳米压印方法
基本信息
| 申请号 | CN200510133650.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1800984A | 公开（公告）日 | 2006-07-12 |
| 申请公布号 | CN1800984A | 申请公布日 | 2006-07-12 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 谢国勇;焦丽颖;刘忠范;张锦 | 申请（专利权）人 | 国家纳米技术产业化基地 |
| 代理机构 | 国嘉律师事务所 | 代理人 | 卢枫 |
| 地址 | 300457天津市经济技术开发区第四大街80号A2座二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种负型纳米压印方法，由以下步骤所构成：(1)首先在硅基底蒸镀金属膜层I，并在金属膜层I上旋涂光刻胶；(2)然后在加热加压条件下将模板的纳米图案复制于光刻胶；(3)用反应离子刻蚀技术将图案转移至镀金属膜层I；(4)以光刻胶的图形为掩膜通过湿法化学腐蚀的方法腐蚀未被光刻胶掩盖的裸露金属I；(5)制得金属纳米结构。本发明的优越性：负型纳米压印技术以压印后的光刻胶为掩膜，通过湿法化学腐蚀方法制备金属结构，避免了传统纳米压印工艺的剥离工艺，可以制备线条光滑的金属结构；其所用化学腐蚀剂价格低廉；工艺易控制，可通过调节腐蚀条件和时间控制金属线宽；还可以通过化学腐蚀后蒸镀第二种金属而制备双金属结构。 |
