响应类型可调的二维半导体室温氢气传感器及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110072715.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112881476B | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN112881476B | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | G01N27/12（2006.01）ICN 104374810 A,2015.02.25;CN 107315035 A,2017.11.03;CN 105272358 A,2016.01.27;CN 101294928 A,2008.10.29;CN 106198631 A,2016.12.07 Kusuma Urs MB等.Multi-component （Ag-Au-Cu-Pd-Pt） Alloy Nanoparticles Decorated p-type 2D-Molybdenum Disulphide （MoS2） for Enhanced Hydrogen Sensing.《Nanoscale》.2020,;Dongzhi Zhang等.Room temperature hydrogen gas sensor based on palladiumdecorated tin oxide/molybdenum disulfide ternary hybrid viahydrothermal route.《Sensors and Actuators B: Chemical》.2016, | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王钊;杨伟佳;谈论;熊娟;顾豪爽 | 申请（专利权）人 | 湖北大学 |
| 代理机构 | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 430062湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种响应类型可调的二维半导体室温氢气传感器及制作方法，所述氢气传感器通过化学气相沉积法（CVD）在Si/SiO2衬底上生长二维MoS2薄膜，再利用滴涂的方法在MoS2薄膜上修饰SnO2制备，其制作方法为：对管式炉内高、低温区装有MoO3和升华硫的石英舟（且MoO3上有Si/SiO2衬底）依次抽负压—充氩气三次，再保压并分别加热高低温区至设定值得到MoS2薄膜，在MoS2薄膜的Si/SiO2衬底上制备基于MoS2薄膜的氢敏器件，将SnO2水胶分散液滴涂在氢敏器件上，经真空干燥、真空退火得到。传感器可在室温下工作，灵敏可靠、成本低且易于集成，利用SnO2对二维MoS2薄膜进行修饰，实现对氢气的从n型到p型响应的转变，二维MoS2薄膜电子传输快，精度高，信噪比高，具有能与传统Si技术集成的高兼容性。 |
