熔断式印刷存储器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810116634.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108364669A | 公开（公告）日 | 2018-08-03 |
| 申请公布号 | CN108364669A | 申请公布日 | 2018-08-03 |
| 分类号 | G11C17/16;G11C17/18 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 郭小军;朱璐瑶;周浩宇;李思莹;张霞昌;陈苏杰;张婕;孙俊峰 | 申请（专利权）人 | 常州印刷电子产业研究院有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 常州印刷电子产业研究院有限公司 |
| 地址 | 213022 江苏省常州市新北区太湖东路9-4号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及印刷存储技术领域，尤其涉及一种熔断式印刷存储器及其制备方法。所述熔断式印刷存储器，包括衬底和位于衬底表面的至少一个熔断式器件；其中，所述熔断式器件包括：熔断功能材料层，设置于所述衬底表面，且所述熔断功能材料层采用具有纳米线结构的导电材料制造而成；多个电极，设置于所述熔断功能材料层表面，相邻电极之间具有一间隙，由所述间隙暴露的所述熔断功能材料层构成熔断功能区；隔热封装层，置于所述间隙中、且覆盖所述熔断功能区。本发明降低了熔断式存储器的熔断电流，缩短了熔断时间。 |
