一种具有半封闭原胞的绝缘栅双极型晶体管器件结构
基本信息
| 申请号 | CN201610840694.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107863383A | 公开（公告）日 | 2018-03-30 |
| 申请公布号 | CN107863383A | 申请公布日 | 2018-03-30 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/417;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李宇柱 | 申请（专利权）人 | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄智明 |
| 地址 | 213200 江苏省常州市金坛经济开发区华城路1668号国际工业城 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有半封闭原胞的绝缘栅双极型晶体管器件结构，顶部包括有源沟槽和虚拟沟槽两种沟槽；有源沟槽和虚拟沟槽组成半封闭的结构；有源沟槽和虚拟沟槽之间有缝隙；所有沟槽都至少穿透了部分CS层到达N‑漂移层，并在部分N‑漂移层中延伸一段距离；CS层的上方是P型基区；P型基区上面还设有N+发射区和P+接触区，并通过接触窗口和发射极电极相连。 |
