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一种绝缘栅双极型晶体管器件

基本信息

申请号 CN201610010199.5 申请日 -
公开（公告）号 CN106960867B 公开（公告）日 2020-04-21
申请公布号 CN106960867B 申请公布日 2020-04-21
分类号 H01L29/06;H01L29/739 分类 基本电气元件;
发明人 李宇柱 申请（专利权）人 常州中明半导体技术有限公司
代理机构 南京正联知识产权代理有限公司 代理人 黄智明
地址 213200 江苏省常州市金坛经济开发区华城路1668号国际工业城
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开，沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，有源原胞包括N+发射区和P+接触区，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连，有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区，有源原胞内的P型阱区通过P+接触区和发射极电极相连，虚拟原胞内的P型阱区是不连续的，而且其电位悬空。本发明在具有虚拟原胞的IGBT结构的基础上，把悬空P型深阱变成较浅的悬空P型阱区，而且悬空P型阱区不连续，从而提高器件的载流子浓度，获得更低的正向饱和压降，进一步降低了工艺成本。