一种绝缘栅双极型晶体管器件
基本信息
| 申请号 | CN201610346850.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107425056A | 公开（公告）日 | 2017-12-01 |
| 申请公布号 | CN107425056A | 申请公布日 | 2017-12-01 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李宇柱 | 申请（专利权）人 | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄智明 |
| 地址 | 213200 江苏省常州市金坛经济开发区华城路1668号国际工业城 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，与现有技术相比较，沟槽中填充的多晶硅被介质层分隔成上多晶硅层和下多晶硅层，上多晶硅层和下多晶硅层分别和沟槽上部氧化层和沟槽下部氧化层相互接触，上多晶硅层和栅极电极相连，下多晶硅层和发射极电极相连；沟槽中上多晶硅层的底部比有源原胞的P型阱区更深。本发明的结构降低了器件的米勒电容和开通能耗。 |
