一种增大沟槽的底部和顶部曲率半径的工艺
基本信息
| 申请号 | CN201610010198.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106960786A | 公开（公告）日 | 2017-07-18 |
| 申请公布号 | CN106960786A | 申请公布日 | 2017-07-18 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/31 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李宇柱 | 申请（专利权）人 | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄智明 |
| 地址 | 213200 江苏省常州市金坛经济开发区华城路1668号国际工业城 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种增大沟槽的底部和顶部曲率半径的工艺，先在半导体基板上形成第一层氧化硅和第一层氮化硅；然后通过光刻把第一层氧化硅和第一层氮化硅打开窗口；以第一层氧化硅和第一层氮化硅为掩膜，通过刻槽工艺，在半导体基板内形成沟槽；然后，在半导体基板上形成第二层氧化硅和第二层氮化硅；通过各向异性刻蚀工艺去除大部分第二层氧化硅和第二层氮化硅，只在沟槽的侧壁保留第二层氧化硅和第二层氮化硅；通过热氧化工艺在沟槽的底部和顶部形成热氧化层，增大了沟槽的底部和顶部的曲率半径。 |
