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具有不连续P型基区嵌入原胞结构的半导体器件

基本信息

申请号 CN201610011238.3 申请日 -
公开（公告）号 CN107068742B 公开（公告）日 2020-04-21
申请公布号 CN107068742B 申请公布日 2020-04-21
分类号 H01L29/739;H01L29/10 分类 基本电气元件;
发明人 李宇柱 申请（专利权）人 常州中明半导体技术有限公司
代理机构 南京正联知识产权代理有限公司 代理人 黄智明
地址 213200 江苏省常州市金坛经济开发区华城路1668号国际工业城
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有不连续P型基区嵌入原胞结构的半导体器件，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区，器件顶部包含有源原胞和嵌入原胞，有源原胞的多晶硅和栅电极相连，嵌入原胞的多晶硅和发射极电极相连，有源原胞和嵌入原胞区域都包含P型基区，有源原胞的P型基区是连续的而且通过P+区域和发射极电极相连，嵌入原胞区域的P型基区沿沟槽的延伸方向被N‑漂移区分割成不连续的区域，嵌入原胞区域的每个P型基区要么电位悬空，要么和发射极电极相连。本发明在之前的CSTBT专利结构基础上，把嵌入原胞区域的P型基区变成周期性的不连续区域，从而在器件饱和压降和关断能耗这两个性能之间取得了更有利的平衡。