一种绝缘栅双极型晶体管器件结构
基本信息
| 申请号 | CN201510477924.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106449741B | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申请公布号 | CN106449741B | 申请公布日 | 2019-04-05 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李宇柱 | 申请（专利权）人 | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄智明 |
| 地址 | 213200 江苏省常州市金坛经济开发区华城路1668号国际工业城 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种绝缘栅双极型晶体管器件结构，顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞由两个相邻的有源沟槽及其相邻半导体层组成，有源原胞的左右两边都是虚拟原胞，虚拟原胞包含虚拟沟槽，虚拟原胞以虚拟沟槽为边界，所有沟槽都至少穿透部分CS层和部分N‑漂移层；器件顶部包括三种P型基区，第一种P型基区位于有源原胞区域内，但不存在于两个有源沟槽之间，上面还设有N+发射区和P+接触区，并通过介质层中的窗口和金属发射极相连接；第二种P型基区位于有源原胞区域内的两个有源沟槽之间，并且都是电位悬空的；第三种P型基区位于虚拟原胞区域内。 |
