分离单晶硅埚底料中石英的工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

分离单晶硅埚底料中石英的工艺

基本信息

申请号	CN02111781.0	申请日	-
公开（公告）号	CN1459415A	公开（公告）日	2003-12-03
申请公布号	CN1459415A	申请公布日	2003-12-03
分类号	C01B33/00;C01B33/037	分类	无机化学;
发明人	昌金铭;唐骏;杨佳荣;黄炳华;吴建荣	申请（专利权）人	中国科技开发院浙江分院有限公司
代理机构	浙江杭州金通专利事务所有限公司	代理人	陈向群
地址	310012浙江省杭州市西湖区文二路218号
法律状态	-

摘要

本发明属于半导体分离技术领域，特别是涉及一种分离单晶硅埚底料中石英的工艺，包括下列步骤：a.将埚底料破碎，得到颗粒状的埚底料；b.用Si3N4涂料刷抹坩埚底部和内壁，让其自然干燥；c.把颗粒状埚底料放置在坩埚内；d.装有颗粒状埚底料的坩埚放入中频感应电炉，开启电源使炉内温度升高至熔点温度后100℃左右，保温10－30分钟，则颗粒状埚底料在坩埚内重熔；e.在加热达到规定时间后，关掉电源，待自然冷却后，可得到已分离的硅与石英；本发明提供的分离单晶硅埚底料中石英的工艺方法，通过将混含有石英的埚底料放置在中频炉中高温加热熔融，利用硅的熔点低于石英熔点的特性，能够方便地将石英颗粒与硅液分离开，因此，本发明具有工艺简单、生产安全、能耗低、分离效果好等优点。