基于哈密顿路径缓解NDE效应的混合高度单元合法化方法
基本信息
| 申请号 | CN202110828737.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113468846A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113468846A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | G06F30/392（2020.01）I;G06F30/3947（2020.01）I;G06F30/398（2020.01）I;G06F111/04（2020.01）N | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 张益敏;柳作栋;李晨;杨晓剑 | 申请（专利权）人 | 上海立芯软件科技有限公司 |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭东亮;蔡学俊 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云汉路979号2楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出基于哈密顿路径缓解NDE效应的混合高度单元合法化方法，包括以下步骤；步骤S1、对布局进行单元重排，使之满足VDD/VSS约束；步骤S2、构建可确定所有多高度单元的顺序的单元图；步骤S3、对于每行的单元，通过最小权值（u,v）哈密顿路径近似算法分段地将该行中的单元扩展到排列顺序中；步骤S4、检查完成步骤S3的行，对剩下单元，使用最小u‑哈密顿路径近似算法将所有剩下的节点都扩展到排列顺序中，得到该行的最终排列顺序；步骤S5、每一行排列完毕后，消除所有重叠以及NDE违规；步骤S6、通过单元交换消除不必要的填充单元，将超出右边界的单元放置到自由空间，得到合法的结果。本发明能以快速、适应能力强、求解质量好的方法来缓解布局中的NDE违规。 |
