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一种高谐振比率的双阻带频率选择表面结构及单元结构

基本信息

申请号 CN202111361378.0 申请日 -
公开（公告）号 CN114171925A 公开（公告）日 2022-03-11
申请公布号 CN114171925A 申请公布日 2022-03-11
分类号 H01Q15/00（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李毅 申请（专利权）人 西安旭彤电子科技股份有限公司
代理机构 西安亿诺专利代理有限公司 代理人 李永刚
地址 710065陕西省西安市高新区科技二路72号西安软件园唐乐阁F301室
法律状态 -

摘要

摘要 一种高谐振比率的双阻带频率选择表面结构及单元结构，属于电磁波技术领域，其特征在于：包括金属层和介质基板；金属层上设置有方环形贴片和菱环组合形贴片；菱环组合形贴片的中心与所述金属层的中心重合；菱环组合形贴片由菱环形贴片通过围绕结构中心依次旋转45°组合设置而成；方环形贴片环绕于菱环组合形贴片四周设置。本发明所述结构尺寸小，能满足器件追求小型化的需求；具有非常好的极化稳定性，在TE和TM极化入射波照射时谐振频率偏差属于可接受范围之内，始终具有高谐振比率特性；同时具有非常好的角度稳定性，在TE和TM模式下，以不同角度入射波照射时第一谐振频率偏差在可接受范围之内始终具有高谐振比率特性。