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一种双沟结构的脊上开孔方法

基本信息

申请号	CN201910769949.0	申请日	-
公开（公告）号	CN110491777B	公开（公告）日	2021-08-03
申请公布号	CN110491777B	申请公布日	2021-08-03
分类号	H01L21/027（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I;G03F7/00（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	邓仁亮;欧祥勇;薛正群;李敬波;杨重英;吴林福生;高家敏;郭智勇;苏辉	申请（专利权）人	福州中科光芯科技有限公司
代理机构	福州元创专利商标代理有限公司	代理人	黄诗锦;蔡学俊
地址	350000福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园E区14号楼4层
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种双沟结构的脊上开孔方法，包括如下步骤：在具有双沟的晶元上生长二氧化硅钝化层；匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；准备好所需光刻版，将晶元对位曝光；将曝光后的晶元进行曝光后烘；将晶元泛曝光，进行显影；在显微镜下检验合格后，后烘；匀胶负性光刻胶一次，进行前烘；准备好所需光刻版，且晶元对位曝光预设时间；将曝光后的晶元进行曝光后烘；将晶元泛曝光，进行显影；在显微镜下检验合格后，后烘；将后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀；将刻蚀后的晶元进行去胶清洗。本发明采用两次负胶反转光刻工艺和一次RIE刻蚀结合，减小对位难度并且能够有效保护台面边缘的二氧化硅钝化层，使得台面开孔区域形貌优良，便于电流注入。