一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法

基本信息

申请号	CN200810122087.4	申请日	-
公开（公告）号	CN101404254B	公开（公告）日	2011-05-18
申请公布号	CN101404254B	申请公布日	2011-05-18
分类号	H01L21/329(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	陈福元;毛建军;胡煜涛;朱志远;王铮;胡梦	申请（专利权）人	杭州杭鑫电子工业有限公司
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	杭州杭鑫电子工业有限公司;杭州晶地半导体有限公司
地址	310053 浙江省杭州市滨江区高新软件园7号楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法。包括如下步骤：1)N-型硅单晶片整个面扩散N+型半导体杂质，得到N+/N-/N+结构；2)研磨硅片的一个表面，得到N-/N+结构；3)N-面扩散P+型半导体杂质，得到P+/N-/N+结构；4)在P+/N-/N+结构中扩散铂。本发明的硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法革除了普通采用的氧化膜掩蔽下区域扩散半导体杂质的晶体管平面工艺，代之以在整个硅片表面上扩散N、P型半导体杂质和扩散铂的开放PN结工艺，制造硅快恢复整流二极管。使用该发明方法，采用硅单晶研磨片来代替硅外延片作为制造开放PN结快恢复整流二极管的基片材料，可简化二极管的制造工艺流程，缩短生产周期，降低成本，提高产品性价比。