一种P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法
基本信息
| 申请号 | CN201210113286.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102646586A | 公开（公告）日 | 2012-08-22 |
| 申请公布号 | CN102646586A | 申请公布日 | 2012-08-22 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈福元;毛建军;胡煜涛;朱志远;王铮;任亮;苏云清 | 申请（专利权）人 | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 张法高 |
| 地址 | 310053 浙江省杭州市滨江区高新软件园7#楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法。包括如下步骤：1)在N型均匀掺杂的硅单晶片的表面上扩散入N型半导体杂质，得到N+/N型扩散片。2)在N+/N型扩散片的表面上扩散入P+型半导体杂质，得到P+/N+/N型扩散片。3)研磨P+/N+/N型扩散片的上下表面，并镀上镍层。4)将P+/N+/N型扩散片锯切成二极管芯片。5)将二极管芯片的上下表面与封装底座焊接、酸洗、上绝缘硅胶钝化、压模成型，制成硅二极管。本发明的P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法在选用硅单晶材料上比传统工艺方法有着更大的灵活性、适应性，从而有效提高产品性价比，产生可观的经济效益。 |
