一种集成齐纳管和整流管的双二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010589395.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102117806B | 公开（公告）日 | 2012-07-04 |
| 申请公布号 | CN102117806B | 申请公布日 | 2012-07-04 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛建军;陈福元;冷思明;胡煜涛;朱志远;任亮 | 申请（专利权）人 | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 杭州杭鑫电子工业有限公司;杭州晶地半导体有限公司 |
| 地址 | 310053 浙江省杭州市滨江区高新软件园7#楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种集成齐纳管和整流管的双二极管及其制备方法。它包括如下步骤：1）在N+型半导体重掺杂硅单晶抛光衬底片上生长N-型硅外延层，；2）用电子化学清洗1#液清洗N+N-硅外延片，经过纯水冲洗；再用电子化学清洗2#液清洗硅片，将硅片甩干；3）在清洗后的N+N-硅外延片上进行P+型半导体杂质硼的预扩散；4）P+N+N-P+双二极管预扩散片进行P+杂质推结扩散；5）P+N+N-P+双二极管扩散片双表面喷砂打毛，双表面镀上镍层，锯切成双二极管芯片；6）通过隧道炉将双二极管芯片与封装底座焊接；7）用混合酸液对双二极管毛坯上的芯片外露部分进行化学腐蚀清洗、上保护胶、压模成型封装。本发明简化硅二极管的制造工艺流程，降低成本，提高产品性价比。 |
