一种抗电浪涌低压保护硅二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110116537.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102194894A | 公开（公告）日 | 2011-09-21 |
| 申请公布号 | CN102194894A | 申请公布日 | 2011-09-21 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈福元;毛建军;胡煜涛;朱志远;王铮;任亮 | 申请（专利权）人 | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 杭州杭鑫电子工业有限公司;杭州晶地半导体有限公司 |
| 地址 | 310053 浙江省杭州市滨江区高新软件园7号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种抗电浪涌低压保护硅二极管及其制备方法。它包括如下步骤：1）在P型硅单晶抛光片表面上扩散入N+型半导体杂质磷,得到PN+硅片；2）用电子化学清洗1#液和2#液清洗PN+硅片，经过纯水冲洗,将硅片甩干；3）在清洗后的PN+硅片上进行N-型外延生长，得到PN+N-硅片；4）在PN+N-硅片上扩散入N+型半导体杂质磷，得到PN+N-N+的硅片；5）在PN+N-N+硅片的双表面镀上金属层，进行合金，锯切，得到二极管芯片；6）将二极管芯片与封装底座焊接,上保护胶、压模成型封装成器件。本发明制造的抗电浪涌低压保护硅二极管具有生产设备通用，产品性价比高，市场广阔的特点。 |
