一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法
基本信息
| 申请号 | CN200810121643.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101383284B | 公开（公告）日 | 2010-11-03 |
| 申请公布号 | CN101383284B | 申请公布日 | 2010-11-03 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈福元 | 申请（专利权）人 | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 杭州杭鑫电子工业有限公司;杭州晶地半导体有限公司 |
| 地址 | 310053 浙江省杭州市滨江区高新软件园7号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法，它包括如下步骤：1)在硅单晶片整个面上生长氧化硅层；2)去除一表面上的氧化硅层；3)在去除氧化硅层的表面上预先扩散入N+或p+半导体杂质；4)在1250～1300℃温度下，进行50～250小时单面硅内N+或p+杂质的推结；5)对另一单面的N-或p-面进行化学机械抛光；6)在N-/N+或P-/P+硅基片上制造晶体管。本发明革除了常规半导体工业所采用的必须研磨去一个单面上占到2/5硅片总厚度的N-或p-杂质深扩散层的三重扩散工艺做法，节省1/4硅片用料。充分体现节材和产品高性价比的特点。 |
