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一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法

基本信息

申请号 CN201210383748.5 申请日 -
公开（公告）号 CN102915967A 公开（公告）日 2013-02-06
申请公布号 CN102915967A 申请公布日 2013-02-06
分类号 H01L21/8222(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈福元;毛建军;胡煜涛;朱志远;王铮;任亮;杨希望 申请（专利权）人 杭州杭鑫电子工业有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 杭州杭鑫电子工业有限公司;杭州晶地半导体有限公司
地址 310053 浙江省杭州市滨江区高新软件园7号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法。它包括如下步骤：在N-/N+型硅片的N-面上氧化、光刻、扩散入P型杂质，形成硅晶体三极管的P+型基区（B）和硅晶体二极管的P+型正极（+）区；在硅晶体三极管的P+型基区（B）上定域扩散入N型杂质，形成三极管的发射区（E），同时于硅晶体二极管的P+型正极（+）区周围选择扩散入N+型杂质，形成硅晶体二极管的负极（-）区；在各杂质扩散区上光刻开出引线孔、蒸发铝金属、光刻电极内引线、合金，制成硅晶体二极管三极管的集成芯片。本发明简化了集成工艺流程，降低生产成本，提高产品性价比。