一种静电释放保护电路版图及集成电路
基本信息
| 申请号 | CN201310172827.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104143549B | 公开（公告）日 | 2017-07-18 |
| 申请公布号 | CN104143549B | 申请公布日 | 2017-07-18 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L29/78;H01L29/08 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程婷;陶永耀 | 申请（专利权）人 | 熠芯（珠海）微电子研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人 | 熠芯（珠海）微电子研究院有限公司 |
| 地址 | 519000 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-20527 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种静电释放保护电路版图，在硅衬底上布置金属氧化物半导体MOS管，所述MOS管的漏端靠近衬底，布置于该MOS管的外侧；而源端布置于该MOS管的内侧；所述漏端到衬底形成寄生二极管。本申请还公开了一种集成电路。本申请提供的静电释放保护电路无需SAB和ESD植入，可以将源端和漏端的面积做的比较小，并且使得寄生电容变小，电路的反应速度变快。 |
