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一种等离子法数控晶体生长炉

基本信息

申请号	CN201821824791.X	申请日	-
公开（公告）号	CN209338698U	公开（公告）日	2019-09-03
申请公布号	CN209338698U	申请公布日	2019-09-03
分类号	C30B11/10（2006.01）I; C30B29/16（2006.01）I; C30B30/00（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	毕孝国; 唐坚; 董颖男; 刘旭东; 孙旭东; 牛微	申请（专利权）人	沈阳鑫谱晶体科技有限公司
代理机构	沈阳铭扬联创知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	吕敏
地址	110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
法律状态	-

摘要

一种等离子法数控晶体生长炉，属于新材料技术领域。包括晶体生长装置，其晶体生长基座端用于放置籽晶；等离子发生装置置于晶体生长装置的晶体生长室顶部，一端与晶体生长室相通，另一端连接原料供应装置；原料供应装置的物料输送管路的外周，靠近物料输出端设置有送料管冷却循环装置；靠近等离子发生装置端套置所述燃料气体管路，所述燃料气体管路外设置燃料气体冷却循环装置；控制系统分别连接原料送料管路、燃料气体管路、送料管冷却循环装置、燃料气体冷却循环装置及等离子发生装置；控制晶体的生长速度。本实用新型实现了对温度和组成分布参数的精确控制，提高了晶体生长所需要的温度条件、组成条件和力学条件的控制精度，所生长的晶体完整性好。