一种用于焰熔法生长金红石单晶体的生长室
基本信息
| 申请号 | CN201920941964.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210237836U | 公开（公告）日 | 2020-04-03 |
| 申请公布号 | CN210237836U | 申请公布日 | 2020-04-03 |
| 分类号 | C30B11/10(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 唐坚;王昊;聂明月;李宁宁;毕孝国;董颖男;李英杰 | 申请（专利权）人 | 沈阳鑫谱晶体科技有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈阳工程学院 |
| 地址 | 110136辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于材料设备制备领域，尤其涉及一种用于焰熔法生长金红石单晶体的生长室，该生长室包括芯体，所述芯体分为上段、中段以及下段，所述上段、中段以及下段采用榫槽连接为一体，芯体的外部具有不锈钢炉壳，在所述不锈钢炉壳与所述芯体之间具有保温岩棉层。生长室采用分体设计，受高温后有膨胀空间，不会产生裂纹，同时榫槽连接和保温岩棉的作用也保证了生长室内的温度梯度，因此生长室可以重复使用多次，减轻劳动力和增加晶体生长成功率。 |
