一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置

基本信息

申请号 CN201710575402.8 申请日 -
公开(公告)号 CN107236992B 公开(公告)日 2019-11-29
申请公布号 CN107236992B 申请公布日 2019-11-29
分类号 C30B29/32;C30B11/10 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 刘旭东;毕孝国;惠宇;孙旭东 申请(专利权)人 沈阳鑫谱晶体科技有限公司
代理机构 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 代理人 盖小静
地址 116622 辽宁省大连市经济技术开发区学府大街10号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置,包括:升降机构、结晶台、炉体、生长室、燃烧器、棒体原料、送料机构;所述结晶台安装在升降机构上,单晶体在结晶台上进行结晶,所述炉体内部的腔室为生长室,单晶体置于生长室中,所述燃烧器置于炉体上,燃烧器底部的喷嘴与生长室相连通,棒体原料穿过燃烧器置于生长室中的单晶体上方,所述送料机构置于棒体原料顶部。本申请提高了晶体稳定生长所需给料量的控制精度,进而提高了晶体质量和成品率,降低了晶体生长成本。