一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置
基本信息
申请号 | CN201710575402.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN107236992B | 公开(公告)日 | 2019-11-29 |
申请公布号 | CN107236992B | 申请公布日 | 2019-11-29 |
分类号 | C30B29/32;C30B11/10 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 刘旭东;毕孝国;惠宇;孙旭东 | 申请(专利权)人 | 沈阳鑫谱晶体科技有限公司 |
代理机构 | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 盖小静 |
地址 | 116622 辽宁省大连市经济技术开发区学府大街10号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置,包括:升降机构、结晶台、炉体、生长室、燃烧器、棒体原料、送料机构;所述结晶台安装在升降机构上,单晶体在结晶台上进行结晶,所述炉体内部的腔室为生长室,单晶体置于生长室中,所述燃烧器置于炉体上,燃烧器底部的喷嘴与生长室相连通,棒体原料穿过燃烧器置于生长室中的单晶体上方,所述送料机构置于棒体原料顶部。本申请提高了晶体稳定生长所需给料量的控制精度,进而提高了晶体质量和成品率,降低了晶体生长成本。 |
