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高氢高导热耐γ辐照中子屏蔽材料及其制备

基本信息

申请号	CN202111322291.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113956616A	公开（公告）日	2022-01-21
申请公布号	CN113956616A	申请公布日	2022-01-21
分类号	C08L63/00（2006.01）I;C08L67/00（2006.01）I;C08L63/10（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）I;C08L79/04（2006.01）I;C08L61/00（2006.01）I;C08K9/04（2006.01）I;C08K3/38（2006.01）I;C08K3/22（2006.01）I;C08K3/26（2006.01）I;C08K3/30（2006.01）I;C08K5/098（2006.01）I;G21F1/10（2006.01）I;C09K5/14（2006.01）I	分类	有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物;
发明人	于广益;成鹏	申请（专利权）人	中广核高新核材科技（苏州）有限公司
代理机构	苏州睿昊知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李明
地址	215400江苏省苏州市太仓市锦州路18号
法律状态	-

摘要

本发明涉及中子屏蔽材料领域，具体涉及一种高氢高导热耐γ辐照中子屏蔽材料及其制备。该中子屏蔽材料包括基体部分和改性中子吸收剂部分，重量比为100:1‑5；基体部分由重量比为15‑100:15‑100:5‑50:0.1‑10:0.1‑10的热固性树脂、固化剂、导热改性剂、抗氧剂和稳定剂组成；改性中子吸收剂部分由重量比为1‑5:1‑5的硼化物和金属框架配合物组成。本发明通过将硼引入到金属框架结构，配合加入热固性树脂、导热改性剂、抗氧剂和稳定剂，有效提高了材料的导热系数、H元素的质量分数以及对γ射线的屏蔽作用，其中，H元素的质量分数为7.50％‑9.00％，导热系数为0.60‑0.90W/（m*K），经γ辐照后拉伸强度提高了20％。