直拉硅单晶炉装置
基本信息
| 申请号 | CN201020182937.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201648562U | 公开（公告）日 | 2010-11-24 |
| 申请公布号 | CN201648562U | 申请公布日 | 2010-11-24 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 周俭 | 申请（专利权）人 | 内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京元中知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭 |
| 地址 | 010080 内蒙古自治区呼和浩特市金川西路呼和浩特出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种提高单晶硅纯度的直拉硅单晶炉装置，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室(1)内，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。利用带有罩体的单晶炉装置所拉制的单晶硅的纯度比现有技术的单晶炉装置所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。 |
