首页/ 聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司/ 专利详情

具有p-GaN盖帽层的HEMT器件及制备方法

基本信息

申请号 CN202110313170.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113113480A 公开（公告）日 2021-07-13
申请公布号 CN113113480A 申请公布日 2021-07-13
分类号 H01L29/20（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 陈龙;程静云;商延卫;马旺;陈祖尧;袁理 申请（专利权）人 聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 余明伟
地址 266000山东省青岛市即墨区服装工业园孔雀河三路56号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种具有p‑GaN盖帽层的HEMT器件及制备方法，通过在H2氛围下进行退火处理，可使得显露的p‑GaN层与H2反应形成p‑GaN钝化层，可避免对p‑GaN层的刻蚀；将p‑GaN层中的Mg钝化成Mg‑H键，可降低空穴浓度，将p‑GaN层转化成高阻的p‑GaN钝化层，以截断HEMT器件中p‑GaN层的漏电通道，提高栅控制能力；p‑GaN钝化层可释放其下方位于AlGaN/GaN异质结界面、原先被耗尽的沟道二维电子气；保留下来的较厚的高阻的p‑GaN钝化层有利于降低HEMT器件的电流崩塌。