增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110995683.9	申请日	-
公开（公告）号	CN113782600A	公开（公告）日	2021-12-10
申请公布号	CN113782600A	申请公布日	2021-12-10
分类号	H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/207（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C30B25/22（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	马旺;陈龙;程静云;陈祖尧;王洪朝;袁理	申请（专利权）人	聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	贺妮妮
地址	266000山东省青岛市即墨区服装工业园孔雀河三路56号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法，该外延自下向上依次包括形成于衬底上的C掺杂c‑GaN高阻层、本征u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、阻镁扩散层及Mg掺杂p‑GaN帽层；阻镁扩散层包括Mg掺杂p‑AlGaN层，且该Mg掺杂p‑AlGaN层中的Mg以Mg‑H键的形式被充分钝化，以降低Mg的活性，同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于所述Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度。由于将阻镁扩散层结构中Mg掺杂p‑AlGaN层的Mg设置为Mg‑H键的形式使Mg被钝化，可有效降低Mg的活性同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度，两者形成一定的Mg浓度差，可以有效阻断Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg向下扩散，从而有效阻挡和降低Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg扩散至AlGaN势垒层及本征u‑GaN沟道层，提高器件的导通性能。