GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110995703.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113793868A	公开（公告）日	2021-12-14
申请公布号	CN113793868A	申请公布日	2021-12-14
分类号	H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/38（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	马旺;陈龙;程静云;陈祖尧;王洪朝;袁理	申请（专利权）人	聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	贺妮妮
地址	266000山东省青岛市即墨区服装工业园孔雀河三路56号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法。外延结构自下向上依次包括形成于衬底上的：C掺杂c‑GaN高阻层、扩散阻挡层、本征u‑GaN沟道层及AlGaN势垒层；扩散阻挡层为由至少一层SiN层、至少一层AlN层及至少一层GaN层构成的群组中的至少两层形成的叠层结构，且该叠层结构包括至少一层SiN层，同时包括至少一层AlN层或GaN层；或为由叠层结构周期性交替组成的超晶格结构。SiN层具有极佳的遮蔽能力，能够有效地遮蔽杂质原子的扩散，因此可以有效阻挡C掺杂c‑GaN高阻层中的C原子扩散至本征u‑GaN沟道层中；再设置AlN层及GaN层，为扩散阻挡层的生长提供生长过渡的作用，从而使扩散阻挡层在起到遮蔽作用的同时，还可实现更好的晶体生长质量。