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硅-氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法

基本信息

申请号 CN202110313173.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113130297A 公开（公告）日 2021-07-16
申请公布号 CN113130297A 申请公布日 2021-07-16
分类号 H01L21/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 陈龙;程静云;商延卫;马旺;陈祖尧;袁理 申请（专利权）人 聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 余明伟
地址 266000山东省青岛市即墨区服装工业园孔雀河三路56号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种硅‑氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法，硅‑氮化镓复合衬底包括硅基底、浅沟槽隔离结构、III‑N族外延结构及第二硅层；硅基底包括第一硅层；浅沟槽隔离结构位于硅基底上且贯穿第一硅层；III‑N族外延结构位于第一硅层的表面包括GaN沟道层及AlGaN势垒层且位于浅沟槽隔离结构的外侧；第二硅层位于第一硅层的表面且位于浅沟槽隔离结构的内侧。本发明可在同一平面集成硅基及氮化镓基的复合衬底，进一步可制备共平面集成硅‑氮化镓复合器件，从而在晶圆制造阶段实现硅器件和氮化镓器件共平面、小间距片上互联，解决不同材料器件互联的寄生效应问题，且可节省占板面积，提高集成度及集成器件的性能。