具有表面微结构的高亮度发光二极管及其制备和筛选方法
基本信息
| 申请号 | CN201410138259.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103872203A | 公开（公告）日 | 2014-06-18 |
| 申请公布号 | CN103872203A | 申请公布日 | 2014-06-18 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴超瑜;蔡坤煌;卢怡安;吴俊毅;陶青山;王笃祥 | 申请（专利权）人 | 三安光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 | 代理人 | 三安光电股份有限公司;天津三安光电有限公司 |
| 地址 | 300384 天津市西青区海泰南道20号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种具有表面微结构的高亮度发光二极管及其制备和筛选方法，所述表面微结构的特征是发光二极管的出光表面的粗化总表面积与垂直投影面积的比值大于1.5，出光表面上的峰密度大于或等于0.3/μm2。本发明中外延片的粗化总表面积与垂直投影面积比值越高越有利于提高外延片的光取出效率，单位面积内高于临界高度的峰数越多越有利于提高外延片的光取出效率，即外延片光取出效率大大提高。 |
