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集成半导体器件

基本信息

申请号 CN201810842306.X 申请日 -
公开（公告）号 CN108962890B 公开（公告）日 2021-07-30
申请公布号 CN108962890B 申请公布日 2021-07-30
分类号 H01L27/085（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 不公告发明人 申请（专利权）人 深圳市南硕明泰科技有限公司
代理机构 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 代理人 马世中
地址 518000广东省深圳市罗湖区莲塘街道罗沙路四季御园8座902
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种集成半导体器件，其包括衬底，形成在衬底上的第一漂移区，依次形成在第一漂移区上的第一阱区、第二漂移区、第二阱区、第三漂移区，形成在第一阱区上的漏极，形成在第二漂移区上的第一绝缘层，形成在第二阱区和第二漂移区上的第一栅源部，形成在第三漂移区上的第二栅源部和第二绝缘层；第一栅源部包括第一栅极和第一源极，第一源极形成在第二阱区上，第一栅极的一端形成在第一绝缘层上，第一栅极的另一端形成在第二阱区上；第二栅源部包括第二栅极和第二源极，第二栅极形成在第二绝缘层上，第二源极形成在第三漂移区上。其能解决集成器件中横向双扩散金属氧化物场效应晶体管及结型场效应晶体管占用体积大的问题。