超结功率器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910693299.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110400833A | 公开（公告）日 | 2019-11-01 |
| 申请公布号 | CN110400833A | 申请公布日 | 2019-11-01 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/41（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨东林; 陈文高; 刘侠 | 申请（专利权）人 | 苏州迈志微半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海昱率科技有限公司 |
| 地址 | 215010 江苏省苏州市高新区竹园路209号2号楼2203 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种超结功率器件，包括：第一导电类型的衬底层；第一导电类型的外延层，设置于所述衬底层上；第二导电类型的多个第一体区和多个第二体区，所述多个第一体区和所述多个第二体区周期排列设置在所述外延层中，所述第一体区为柱状体区；多个分段栅，周期排列设置在所述外延层上，每个所述分段栅包括第一栅部分和第二栅部分。 |
