功率器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910705227.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110335895A | 公开（公告）日 | 2019-10-15 |
| 申请公布号 | CN110335895A | 申请公布日 | 2019-10-15 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈文高;杨东林;刘侠 | 申请（专利权）人 | 苏州迈志微半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李明 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种功率器件，所述功率器件划分为元胞区、过渡区和终端区，所述功率器件包括：衬底；第一外延层，设置于所述衬底上方；第二外延层，设置于所述第一外延层上方；多个体区，设置于所述第二外延层中；多个元胞区沟槽，设置于元胞区的所述第二外延层中；多个过渡区沟槽，设置于过渡区的所述第二外延层中；多个终端区沟槽，设置于终端区的所述第二外延层中；其中，所述过渡区沟槽底部和终端区沟槽底部的介质层厚度均大于所述元胞区沟槽底部的介质层厚度。 |
