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功率MOSFET及其制造方法和电子设备

基本信息

申请号 CN202011594199.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112635568A 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN112635568A 申请公布日 2021-04-09
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 分类 基本电气元件;
发明人 杨东林;陈文高;刘侠;潘志胜 申请（专利权）人 苏州迈志微半导体有限公司
代理机构 北京中知法苑知识产权代理有限公司 代理人 李明;赵吉阳
地址 201306 上海市浦东新区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种功率MOSFET及其制造方法和电子设备。所述功率MOSFET包括：硅衬底以及所述硅衬底上的硅外延层；多个沟槽，间隔排列且形成在所述硅外延层内；源极多晶硅，形成在所述多个沟槽下部内且被场氧层包围；栅极多晶硅，形成在所述多个沟槽上部内且通过高密度二氧化硅与源极多晶硅间隔开；所述栅极多晶硅四周环绕有栅极氧化层；多个第一体区，间隔排列且位于所述多个沟槽之间；多个源区，位于所述多个第一体区上方；多个接触孔，所述多个接触孔从所述硅外延层的顶表面延伸至所述第一体区，所述多个接触孔与所述多个沟槽自对准形成。