功率MOSFET及其制造方法和电子设备专利查询专利号|摘要-满商公司网

功率MOSFET及其制造方法和电子设备

基本信息

申请号	CN202011594169.6	申请日	-
公开（公告）号	CN112635567A	公开（公告）日	2021-04-09
申请公布号	CN112635567A	申请公布日	2021-04-09
分类号	H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06	分类	基本电气元件;
发明人	杨东林;陈文高;刘侠;潘志胜	申请（专利权）人	苏州迈志微半导体有限公司
代理机构	北京中知法苑知识产权代理有限公司	代理人	李明;赵吉阳
地址	201306 上海市浦东新区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
法律状态	-

摘要

本公开提供了一种功率MOSFET及其制造方法和电子设备，功率MOSFET包括：硅衬底以及硅衬底上的硅外延层；多个沟槽，间隔排列且形成在硅外延层内；多个源极多晶硅，形成在多个沟槽下部内且被场氧层包围；多个栅极多晶硅，形成在多个沟槽上部内且通过高密度二氧化硅与源极多晶硅间隔开；栅极多晶硅四周环绕有栅极氧化层；多个介质氧化层，形成在栅极多晶硅上方，并且在横向方向上越过沟槽边界并生长到相邻的部分硅外延层中；多个第一体区，间隔排列且位于多个沟槽之间；多个源区，位于多个第一体区上方；多个接触孔，多个接触孔从硅外延层的顶表面延伸至第一体区，多个接触孔利用介质氧化层作为硬掩模层刻蚀形成，并与多个介质氧化层自对准形成。