种子层的刻蚀方法、晶圆级封装键合环及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

种子层的刻蚀方法、晶圆级封装键合环及其制作方法

基本信息

申请号	CN202011134703.5	申请日	-
公开（公告）号	CN112479153A	公开（公告）日	2021-03-12
申请公布号	CN112479153A	申请公布日	2021-03-12
分类号	B81B7/02(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I	分类	微观结构技术〔7〕;
发明人	李胜利;王春水;陈丹;马占锋;汤东强;汪超	申请（专利权）人	武汉鲲鹏微纳光电有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	胡建文
地址	430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新三路27号5号楼510室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种种子层的刻蚀方法，用于晶圆级封装中，包括如下步骤：S1，对长有种子层且具有MEMS腔的晶圆进行掩膜作业，作业时仅露出键合环；S2，在掩膜作业完成后，对键合环处的所述种子层进行电镀作业；S3，在电镀作业完成后，去除掩膜露出种子层；S4，待掩膜去除完毕后，采用氨水、双氧水以及水的混合物刻蚀去除种子层，以使键合环金属化。提供一种晶圆级封装键合环的制作方法，采用上述的种子层的刻蚀方法，得到晶圆级封装键合环。提供一种晶圆级封装键合环，采用上述的制作方法制得。本发明通过探索新的刻蚀方法，不仅实现了种子层的一次性刻蚀，大大缩短了工艺时间，增强了产品的稳定性，还可以显著降低企业成本，突破国外对关键材料的限制。