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非制冷红外探测器、芯片以及芯片的制作方法

基本信息

申请号	CN202011221554.6	申请日	-
公开（公告）号	CN112499580A	公开（公告）日	2021-03-16
申请公布号	CN112499580A	申请公布日	2021-03-16
分类号	B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I	分类	微观结构技术〔7〕;
发明人	马占锋;黄立;陈丹;汪超;王春水;高健飞	申请（专利权）人	武汉鲲鹏微纳光电有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	胡建文
地址	430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新三路27号5号楼510室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种非制冷红外探测器芯片的制作方法，包括如下步骤：S1，在读出电路上进行MEMS阵列的制作；S2，待完成后，在读出电路非MEMS阵列的部位上沉积吸气剂材料；S3，通过剥离工艺，去掉非制冷红外像元部分的吸气剂，留下非制冷红外非像元部分的吸气剂。还提供一种非制冷红外探测器，包括半导体制冷器以及非制冷红外探测器芯片，芯片设于半导体制冷器上。还提供一种非制冷红外探测器芯片，包括读出电路以及设于读出电路上的MEMS阵列，读出电路上还沉积有吸气剂，吸气剂环绕MEMS阵列设置。本发明通过在芯片上沉积吸气剂材料，去掉两个吸气剂管脚，设计更简单，成本更低；不用再焊接吸气剂，可以简化封装部分的工艺，提高生产效率，降低焊接成本和人力。