一种Co-Pi修饰的纳米棒状ZnFe2O4复合薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011220195.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114525543A | 公开（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申请公布号 | CN114525543A | 申请公布日 | 2022-05-24 |
| 分类号 | C25B11/091（2021.01）I;C25B1/04（2021.01）I;C25B1/55（2021.01）I;C25D5/54（2006.01）I;C25D3/56（2006.01）I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 赵磊;马海鹏;兰亚尧;刘志峰 | 申请（专利权）人 | 新乡学院 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 453000河南省新乡市金穗大道东段191号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种Co‑Pi修饰的纳米棒状ZnFe2O4复合薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：首先配制前驱体溶液，采用水热法在空白FTO上制备ZnFe2O4薄膜。然后配制沉积溶液，采用光电沉积法制备ZnFe2O4/Co‑Pi薄膜。本发明所制备的ZnFe2O4/Co‑Pi复合薄膜可作为光阳极，其光电催化产氢性能较单一ZnFe2O4薄膜有所提高。本发明可达到简单可行，原料成本低，光电催化产氢性能良好的有益效果。 |
