一种硅碳负极补锂极片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811502679.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109755502B | 公开（公告）日 | 2022-04-22 |
| 申请公布号 | CN109755502B | 申请公布日 | 2022-04-22 |
| 分类号 | H01M4/36（2006.01）I;H01M4/583（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/04（2006.01）I;H01M4/1393（2010.01）I;H01M4/1395（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡琪卉;张琦;凌彬 | 申请（专利权）人 | 龙能科技（宁夏）有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 饶富春 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市高新区科技二路65号6幢10701房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了硅碳负极补锂极片的制备方法，所述方法包括将锂粉、硅粉、碳源及导电剂在超临界流体的氛围中保护分散制备成补锂混合物，负极活性物质、补锂物质及导电剂的配比及分散工艺；在负极集流体上涂布负极浆料,得到负极极片。本发明制备方法中，补锂混合物在超临界流体氛围中，减少了团聚发生，提高了浆料的加工稳定性，对比普通补锂工艺制备的极片，电导率提高近两倍。 |
