一种半导体芯片的溅镀方法
基本信息
| 申请号 | CN202010251217.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111519148B | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 申请公布号 | CN111519148B | 申请公布日 | 2021-11-16 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）I;C23C14/04（2006.01）I;H01L21/673（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 蒋海兵 | 申请（专利权）人 | 深圳市海铭德科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 何兵;饶盛添 |
| 地址 | 518000广东省深圳市宝安区福海街道桥头社区立新路2号天佑创客产业园F1F2-401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体芯片的溅镀方法，特别的是针对于异形形状和需要选择性区域溅镀的半导体芯片，通过底座、胶框和中框的配合固定半导体芯片，通过遮盖胶遮蔽保护区域，可以保护非溅镀区域，避免出现NG产品；中框可以避免胶框与遮盖胶连接过于紧密导致取出不便，方便分开撕胶，并且可以方便一次性将整块的双面胶制成的胶框从底座撕除，还能够方便半导体芯片的装夹和取出，隔离半导体芯片侧面的非溅镀区域，还能减少成本，可以根据不同型号、不同形状的半导体芯片更换中框。 |
