红外传感器及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201811404519.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109489833A | 公开（公告）日 | 2019-03-19 |
| 申请公布号 | CN109489833A | 申请公布日 | 2019-03-19 |
| 分类号 | G01J5/20（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 姜利军 | 申请（专利权）人 | 杭州大立微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杭州大立微电子有限公司 |
| 地址 | 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路639号二区2402室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种红外传感器及其形成方法，所述红外传感器包括：基底，所述基底上形成有红外传感像元；辐射衰减结构，位于所述红外传感像元上方，所述辐射衰减结构对探测波段的透过率与温度呈负相关。所述红外传感器对高温辐射的耐受能力以及对高温目标的检测能力提高。 |
