红外探测器阵列级封装结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610855933.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106441595B | 公开（公告）日 | 2019-07-19 |
| 申请公布号 | CN106441595B | 申请公布日 | 2019-07-19 |
| 分类号 | G01J5/20;H01L35/02 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 庄玉召;钱良山;张云胜;姜利军 | 申请（专利权）人 | 杭州大立微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杭州大立微电子有限公司 |
| 地址 | 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路639号二区2402室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种红外探测器阵列级封装结构及其制造方法，所述红外探测器阵列级封装结构包括：基底，所述基底包括衬底以及位于部分衬底表面的读出电路；薄膜层，所述薄膜层部分位于所述读出电路外侧的衬底表面，与所述衬底之间形成真空腔；吸气剂层，所述吸气剂层位于所述真空腔内部的基底表面；红外传感器单元，所述红外传感器单元位于所述真空腔内的读出电路上方与所述读出电路连接。上述红外探测器阵列级封装结构的结构紧凑，能有效地降低器件的成本。 |
