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晶圆级封装方法及封装结构

基本信息

申请号 CN201410241624.2 申请日 -
公开（公告）号 CN103985642B 公开（公告）日 2017-06-23
申请公布号 CN103985642B 申请公布日 2017-06-23
分类号 H01L21/50;H01L21/60;H01L25/04 分类 基本电气元件;
发明人 王景道;姜利军 申请（专利权）人 杭州大立微电子有限公司
代理机构 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） 代理人 杭州大立微电子有限公司
地址 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路639号二区2402室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种晶圆级封装方法及封装结构，所述封装方法包括如下步骤：提供一第一基板和一第二基板；在所述第一基板和第二基板的表面形成焊环；以所述第一基板的焊环和第二基板的焊环为中间层，对所述第一基板及第二基板进行键合，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件。本发明的优点在于，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件。本发明采用加厚的焊环形成的深腔替代深腔刻蚀或额外的深腔环，大大简化了结构及工艺。