一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备
基本信息
| 申请号 | CN202011450582.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112760621A | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN112760621A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 白焱辉;杨立友;王继磊;冯乐;黄金;郭磊;张永前;鲍少娟;杜凯;师海峰;杨文亮;孔青青 | 申请（专利权）人 | 晋能光伏技术有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 符继超 |
| 地址 | 030600山西省晋中市山西综改示范区晋中开发区新能源汽车园区广安东街533号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，包括：预热腔、工艺腔和冷却腔，并依次相连通，硅片在预热腔预热后输送至所述工艺腔用于沉积非晶硅薄膜，并从所述工艺腔输送至所述冷却腔进行冷却；所述工艺腔的一个侧面设置有进气口，相对的侧面设置有尾气管路，且所述工艺腔的内部设置有至少两个电极板，所述电极板在竖直方向上平行设置，并通过绝缘块间隔相邻的两个所述电极板，相邻的两个所述电极板分别连接射频电源和零电势；所述尾气管路上至少设置有一个抽气孔；本发明为单腔多层非晶硅沉积设备，电极板在竖直方向上平行设置，形成多层结构，能够有效减小设备的占地面积，大幅度增加单台设备产能，解决了现有技术中存在的问题。 |
