温度补偿型声表面波滤波器晶圆级封装结构和制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

温度补偿型声表面波滤波器晶圆级封装结构和制造方法

基本信息

申请号	CN202210382041.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114465591B	公开（公告）日	2022-06-21
申请公布号	CN114465591B	申请公布日	2022-06-21
分类号	H03H3/08;H03H9/02;H03H9/10;H03H9/64	分类	基本电子电路;
发明人	不公告发明人	申请（专利权）人	深圳新声半导体有限公司
代理机构	北京康盛知识产权代理有限公司	代理人	陶俊洁
地址	518109 广东省深圳市龙华区民治街道民泰社区万科金域华府一期1-8座5座301
法律状态	-

摘要

本申请涉及滤波器技术领域，公开一种温度补偿型声表面波滤波器晶圆级封装结构的制造方法，包括：在滤波器晶圆上形成叉指换能器IDT结构、IDT电气连接金属条和芯片边缘金属环；在叉指换能器IDT结构、IDT电气连接金属条、芯片边缘金属环和滤波器晶圆上淀积温补层；对温补层进行刻蚀；在暴露出的IDT电气连接金属条和芯片边缘金属环上形成金属层；在金属层上形成二氧化硅层作为钝化层，并利用二氧化硅钝化层与硅盖晶圆进行键合，获得空腔。这样利用滤波器必要的结构而不需引入额外的键合材料层就能够完成晶圆级封装，获得滤波器的空腔结构，且空腔结构强度高，芯片面积更小，制造成本更低。本申请还公开一种温度补偿型声表面波滤波器晶圆级封装结构。