一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法
基本信息
| 申请号 | CN202210627301.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114709131A | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN114709131A | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | H01L21/033（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 深圳新声半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518049广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在基片表面沉积二氧化硅；在二氧化硅表面涂布正性光刻胶；在正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；采用湿法刻蚀对二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；向所得器件表面沉积金属层；剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。本发明采取二氧化硅取代LOR光刻胶，配合特定的刻蚀方法，在大幅度降低生产成本的同时，减少投影沉积副作用，最终可形成沉积金属侧面角度超30°的高质量产品。 |
