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用于多晶硅垂直定向生长的随动隔热环热场结构

基本信息

申请号 CN201010108876.X 申请日 -
公开（公告）号 CN101775641B 公开（公告）日 2012-02-15
申请公布号 CN101775641B 申请公布日 2012-02-15
分类号 C30B15/14(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 唐骏;傅林坚;沈维根;石刚 申请（专利权）人 宁波晶元太阳能有限公司
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 代理人 宁波晶元太阳能有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
地址 315800 浙江省宁波市宁波保税区港东大道26号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及多晶硅铸锭炉设计与制造技术领域，旨在提供用于多晶硅垂直定向生长的随动隔热环热场结构。该热场结构包括包括内设有侧面包围式的隔热笼体的炉室，坩埚及热场均置于隔热笼体中，隔热笼体的上端与提升装置相连；隔热笼体上下分别设置顶部保温板和下保温层，其中顶部保温板固定悬挂于电极上，下保温层及所述热交换台均固定于支撑柱上，顶部保温板与隔热笼体上端活动相接、下保温层与隔热笼体下端活动相接；一个环形的随动隔热环通过数个连接装置固定在隔热笼体的内部。本发明设计合理，能够增大多晶硅晶粒，减少晶界，改善晶体生长方向垂直度，从而提高多晶硅铸锭品质，同时随动隔热环也起到了降低能耗的作用。