一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法

基本信息

申请号	CN201610256247.9	申请日	-
公开（公告）号	CN105776127B	公开（公告）日	2017-05-03
申请公布号	CN105776127B	申请公布日	2017-05-03
分类号	B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I	分类	微观结构技术〔7〕;
发明人	凌新生;袁志山	申请（专利权）人	南京罗岛纳米科技有限公司
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	东南大学;南京罗岛纳米科技有限公司
地址	210096 江苏省南京市四牌楼2号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构及其制作方法。包括：首先提供一硅基体作为基板；在基体两侧表面通过LP‑CVD工艺沉积由3层纳米薄膜组成的结构层，从基体向上分别为SiN/SiO₂/SiN；接着使用LP‑CVD工艺在所述结构层表面沉积牺牲层；刻蚀基体一侧所述结构层和所述牺牲层形成基体释放窗口；接着使用碱性溶液刻蚀所述硅基体得到由所述结构层和所述牺牲层组成的自支撑纳米薄膜。刻蚀掉所述自支撑纳米薄膜上方的牺牲层，得到悬空所述结构层。接着，使用氦离子束在悬空所述结构层上刻蚀出纳米通孔。最后使用缓冲过的氢氟酸刻蚀所述结构层中的SiO₂得到由SiO₂空腔分割开的双层SiN纳米孔结构。本发明工艺简单，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在生化检测领域有着较广的使用前景。