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一种半导体光电倍增器件

基本信息

申请号	CN201620870780.X	申请日	-
公开（公告）号	CN206134700U	公开（公告）日	2017-04-26
申请公布号	CN206134700U	申请公布日	2017-04-26
分类号	H01L31/107(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	徐青;杨健;王麟;李开富	申请（专利权）人	鄂州市昌达投资控股集团有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道58号红桃K电商办公室第二层189号（Y）
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种半导体光电倍增器件，包括多个阵列式并联分布的探测单元，所述探测单元由工作在盖革模式下的雪崩光电二极管、淬灭电阻和透明电容构成；所述透明电容由两个透明导电极板以及位于透明导电极板之间的透明介质组成；所述透明电容位于雪崩光电二极管光敏面的正上方。本实用新型通过设置透明电容的方式来降低探测单元以及器件的整体电容，从而改善半导体光电倍增器的时间特性，这不仅可以提高半导体光电倍增器光电信号的转换速度，也可以提高基于半导体光电倍增器的应用系统的符合时间分辨率。透明电容保证了较高的光透过率，位于探测单元光敏面正上方的透明电容并没有使半导体光电探测器损失额外的探测面积，这保证了半导体光电倍增器较高的探测效率。